报告题目：窄带隙二维材料与器件

报告时间：2026年11月20日10:10

报告地点：16幢一楼路演厅
报告人：张凯
邀请人：李正全

报告人简介：
张凯，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，副所长，研究员、博士生导师，国家级领军人才。致力于二维材料与器件的研究，聚焦黑磷等窄带隙二维半导体、拓扑材料的可控生长及其红外、太赫兹激光与探测器件的应用突破。迄今在Nat. Mater., Nat. Synth., Nat. Commun., Light Sci. Appl.等学术期刊发表论文160余篇，论文他引8000余次；授权美国和中国发明专利27项；近年来在国际国内学术会议做邀请报告、分会主席、大会副主席等40余次。承担科技部国家重点研发计划，中国科学院先导专项，国家自然科学基金重大仪器研制、杰青、优青、区域联合、面上，以及企业产学研横向等项目；入选中国科学院“率先行动”引才计划并获择优支持，获纳米研究青年科学家奖（NR45Young Innovators Award）、国际前沿材料青年科学家奖（IUMRS Frontier Materials Young Scientists Award）等科技奖励。现担任中国光学工程学会微纳专委会材料组组长、江苏省材料学会理事，Nano Apex 期刊执行主编。

报告简介：
Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等窄带隙半导体材料及其超晶格的出现推动了红外、太赫兹技术的发展，在国防安全、生物医疗、环境、通信等领域发挥着重要的作用。如今，伴随着器件小型化、低功耗、CMOS兼容集成的发展趋势以及宽光谱、室温工作等性能突破的需要，传统红外和太赫兹器件的技术瓶颈越来越突出，主要体现在器件的复杂结构、外延成本高、与硅工艺兼容性受限等。窄带隙二维材料具有原子层厚度、高载流子迁移率、可调带隙及范德华异质集成等优异特性，为红外、太赫兹光电子器件的发展带来了新契机。基于此，我们从新型窄带隙二维材料的生长、能带工程和输运性质调节等方面着手，探究了以窄带隙半导体黑磷为代表的新型二维材料在红外和太赫兹光电器件（探测器、激光器等）中的应用。

代表性论文：

1.Nat. Synth. 2026, DOI: 10.1038/s44160-026-01232-z.

2.Nat. Commun. 2025, 16, 11213.

3.Nat. Commun. 2025, 16, 25.

4.Light-Sci. 2024, Appl. 13:81.

5.Nat. Mater. 2023, 22, 717.