科学研究
报告题目：在硅上生长的分子铁电薄膜材料
报告时间：2026年4月23日14:00
报告地点：16-921
报告人：洪子健
邀请人：张毅
报告人简介：
洪子健博士，浙江大学材料学院百人计划研究员、博导，国家级青年人才。主要从事计算材料学研究，迄今为止在Nature，Nature Materials等国际知名期刊发表论文50余篇，引用3000余次。现主持省部级以上科研项目5项，担任中国硅酸盐学会特种陶瓷分会理事、浙江大学台州研究院先进材料中心副主任。
报告简介：
分子铁电材料因其结构可调性、低合成温度和高柔韧性而受到广泛关注。本课题组成功在硅基底上合成了高氯酸咪唑（ImClO4）单晶及高质量、高取向的薄膜。这些薄膜展现出高达55.7 pm/V的逆压电系数。实验中观察到两类畴带结构：I型畴带与水平轴呈~60°倾斜，II型畴带则垂直于水平轴。在+20 V偏压下，I型畴带的180°畴壁收缩脱离，形成针状电畴；当施加-20 V偏压时，该针状畴向畴带边界延伸，接触后沿边界生长。相比之下，II型畴带表现出平直的畴壁运动，且压电响应强度高于I型畴带。高质量分子铁电薄膜在硅基板上的生长为片上器件发展开辟了新路径。
代表性论文：
1. Nat. Commun. 2024, 15, 7767.
2. Nat. Phys. 2025, 21, 464-470.
3. Nat. Commun. 2025, 16, 9911.
4. Nature 2019, 568, 368-372.
5. Nature 2019, 565, 468-471.
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教务办：0579-82289709；
学工办：0579-82282374；
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